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Si5933CDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.25
0.20
0.15
I D = 2.5 A
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temperature
I D = 250 μA
5
4
3
2
1
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μ s
1 ms
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1 s, 10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68822
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
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